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  半导体芯片及外延片      
 
外延片说明
      分红黄外延片和蓝绿外延片,蓝绿外延片为2英寸氮化镓(GaN)外延片,通过MOCVD技术(金属有机气相沉积)在蓝宝石衬底上生长P层氮化镓和N层氮化镓。红黄外延片为2英寸砷化镓(GaAs)外延片,通过MOCVD技术在砷化镓衬底上生长P层磷化镓和N层砷化镓。通常,在外延片上作透明电极、刻蚀等工艺制备LED芯片。一片2英寸氮化镓外延片可生产15000-60000颗LED芯片(芯片越小数量越多)。
名称 组成 尺寸 波长 特性 应用
蓝、绿外延片 氮化镓 2英寸(50mm) 450~530nm 生长技术: MOCVD
衬底:蓝宝石
蓝、绿LED
红、黄外延片 砷化镓 2英寸(50mm) 580~640nm 生长技术:MOCVD
衬底:GaAs
红、黄LED
 
芯片说明
      LED芯片经测试分拣(光电参数:正向电压、主波长、亮度、反向电流),得到按光电参数分类的芯片,每张蓝膜上有4000-6000颗芯片,待封装成LED发光二极管。主要应用在白光、户内户外显示屏、指示灯、数码管、市景亮化等。
芯片类别 型号 成分 尺寸(mil) 波长(nm) 电压(V) 亮度(mcd)
蓝绿芯片 C9 氮化镓 13×15 460-530 3.0-3.6 40-400
C12 氮化镓 12×13 460-530 3.0-3.6 40-400
C8 氮化镓 9×11 460-530 3.0-3.6 40-400
P3 氮化镓 40×40 460-530 3.0-3.8 1000-10000
红黄芯片 108 砷化镓 8×8 580-640 1.8-2.2 80-300
109 砷化镓 9×9 580-640 1.8-2.2 80-300
112 砷化镓 12×12 580-640 1.8-2.2 80-300
 
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